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顯然，過程映像區(qū)并不能涵蓋整個(gè)CPU的輸入/輸出地址區(qū)域。當(dāng)我們要訪問的I/O地址超出了過程映像區(qū)的范圍，就必須使用外設(shè)尋址了。CPU315-2DP的技術(shù)數(shù)據(jù)（節(jié)選）對(duì)于400的CPU而言，以CPU-4162DP為例（如所示），輸入/輸出均16KB，過程映像區(qū)默認(rèn)為512個(gè)字節(jié)，但可調(diào)整為16KB。當(dāng)訪問地址超出了默認(rèn)的過程映像區(qū)范圍時(shí)，我們就要做以下選擇了：或者修改過程映像區(qū)的大小或者采用外設(shè)尋址CPU416-2DP的技術(shù)數(shù)據(jù)（節(jié)選）輸入/輸出模塊地址未分配給過程映像區(qū)特別是對(duì)于S7-400系列CPU而言，要想使用過程映像區(qū)，需給輸入/輸出模塊地址分配過程映像，OB1-PI或者PIP中的一個(gè)（詳見《S7-300/400進(jìn)階筆記2：過程映像區(qū)的分類及其更新機(jī)制》一文）。


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假設(shè)：沒有R25,那么OUTPUT的輸出是通過ce與地連接在一起的，輸出端懸空了，即高阻態(tài)。這時(shí)候OUTPUT的電平狀態(tài)未知，如果后面一個(gè)電阻負(fù)載（即使很輕的負(fù)載）到地，那么輸出端的電平就被這個(gè)負(fù)載拉到低電平，它是不能輸出高電平的。需要接一個(gè)電阻到VCC，而這個(gè)電阻就叫上拉電阻。OD門OC門與OD門是十分相似的，將三極管換成了MOS管當(dāng)INPUT輸入高電平，GS閾值電壓，MOS管Q1導(dǎo)通，Q3的G點(diǎn)電位為0，Q3截止，OUTPUT高電平當(dāng)INPUT輸入低電平，GS閾值電壓，MOS管Q1截止，Q3的G點(diǎn)電位為高，Q3導(dǎo)通，OUTPUT低電平OD門開漏它其實(shí)利用了電路的驅(qū)動(dòng)能力，減少了IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)，因此想讓它作為驅(qū)動(dòng)電路，必須接上拉電阻才能正常工作，51單片機(jī)的P0口。因?yàn)榇俗鴺?biāo)系左方是未來，而右方是過去。下圖是電阻的。電壓函數(shù)電流函數(shù)同相。下圖是三者串聯(lián)的情況，沒畫相量圖和波形圖。但從指針的變化可以判斷：電流相同時(shí)，電感和電容的電壓函數(shù)反相。沒畫總電壓，因?yàn)榭傠妷河锌赡艹坝诳傠娏?，也有可能滯后于總電流，也有可能兩者同相，同相時(shí)為諧振狀態(tài)。以前還做過這種，元件右邊標(biāo)的是電壓電流的參考方向。用不同的顏色描述電壓的大小，藍(lán)色黃色紅色；用不同的粗細(xì)和箭頭描述電流的大小和方向，而且把電感、電容充能的效果也做進(jìn)去了，電流時(shí)電感磁場能，電容電場能。