產(chǎn)品詳情
GD212P 模塊主要技術(shù)參數(shù)概覽
基本規(guī)格 尺寸(長*寬*厚) 51*30*5.1mm
接口類型 Mini PCI-Express Card (52PIN)
基帶 USIM/SIM 標(biāo)準(zhǔn) 6 線 3V&1.8V SIM 卡
存儲 128MB RAM(CPU 芯片內(nèi)置) +128MB ROM(外掛芯片)
Micro SD 卡 不支持
USB 版本 USB 2.0 高速接口
供電 直流 3.3V-4.35V(推薦 4.0V)
擴展接口: 1.電源接口
2, USB2.0
3, 單 SIM 卡
4, SIM 熱插拔
5, 2 組 UART
6, 1 組 I2S 接口
7, 休眠喚醒
8, 3 路 GPIO 控制輸出
9, 外部復(fù)位輸入
LED 支持 GPIO 口輸出控制(與其它接口復(fù)用)
天線 主天線 外置
分集天線 外置
通信頻段 型號 頻段
專網(wǎng) LTE LTE TDD: 1.8G(1785MHz-1805MHz)
公網(wǎng) LTE LTE FDD:
B1 (TX:1920MHz-1980MHz RX:2110MHz-2170MHz)
B3 (TX:1710MHz-1785MHz RX:1805MHz-1880MHz)
B5 (TX:824MHz-849MHz RX:869MHz-894MHz)
B8 (TX:880MHz-915MHz RX:925MHz-960MHz)
LTE TDD:
B38 (2570MHz-2620MHz)
B39 (1880MHz-1920MHz)
B40 (2300MHz-2400MHz)
B41 (2550MHz-2655MHz)
UMTS B1 (TX:1920MHz-1980MHz RX:2110MHz-2170MHz)
B8 (TX:880MHz-915MHz RX:925MHz-960MHz)
GSM B3 (TX:1710MHz-1785MHz RX:1805MHz-1880MHz)
B8 (TX:880MHz-915MHz RX:925MHz-960MHz)
TDS B34/B39
發(fā)射功率 23±2 dBm , Power class 3
二級放大 支持外接 33dBm 大功率功放板(僅 TDD 模式下支持)
SIM 卡 單卡(公網(wǎng)或者專網(wǎng))
公務(wù) 支持
數(shù)據(jù)能力 CAT4
GD212P 模塊和系統(tǒng)板連接時, 主要分為以下信號組: USB 信號、 SIM Card 信號、 UART 信
號、 主板復(fù)位模塊信號、 模塊復(fù)位主板信號、 電源和地、 GPIO 休眠喚醒, 大功率模塊控制信號。
同時, GD212P 寬帶 LTE 模塊具有主天線接口和分集天線接口。
本產(chǎn)品的射頻天線接口有 2 個: 一個是主天線接口(PCB 上有“MAIN” 標(biāo)識) , 一個是
分集接收天線(分集可選) 接口(PCB 上有“AUX” 標(biāo)識) , 天線接口采用
的射頻座均為 U.FL-R-SMT-1(80)(HRS)/ECT818000071(ECT),