產(chǎn)品詳情
日本napson嵌入非接觸式電阻測量模塊
- 可以集成到用戶生產(chǎn)線或傳輸機(jī)器人中的測量模塊
- 根據(jù)所需的電阻測量范圍確定探頭數(shù)和探頭類型
- 通過局域網(wǎng)連接將命令/測量數(shù)據(jù)傳送到主機(jī)PC
- 可以集成到用戶生產(chǎn)線或傳輸機(jī)器人中的測量模塊
- 根據(jù)所需的電阻測量范圍確定探頭數(shù)和探頭類型
- 通過局域網(wǎng)連接將命令/測量數(shù)據(jù)傳送到主機(jī)PC
測量規(guī)格
測量目標(biāo)
半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請與我們聯(lián)系）
測量尺寸
2-8英寸，?156 x 156毫米
（可選;?12英寸，?210 x 210毫米）
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
[厚度] 500至約800μm
*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
日本napson嵌入非接觸式電阻測量模塊
