產(chǎn)品詳情
20世紀(jì)90年代隨著集成技術(shù)的進(jìn)步、設(shè)備的改進(jìn)和深亞微米技術(shù)的使用，LSI、VLSI、ULSI相繼出現(xiàn)，芯片集成度不斷提高，I / O引腳數(shù)急劇增加，功耗也隨之增大，對(duì)集成電路封裝的要求也更加嚴(yán)格。為滿足發(fā)展的需要，在原有封裝方式的基礎(chǔ)上，又增添了新的方式----球柵陣列封裝，簡(jiǎn)稱BGA（Ball Grid Array Package）。
隨著芯片集成技術(shù)的發(fā)展和電子產(chǎn)品向微型化方向的發(fā)展，對(duì)芯片封裝技術(shù)提出了新的挑戰(zhàn)。芯片的封裝技術(shù)已經(jīng)歷經(jīng)好幾代的變遷 （從DIP、TSOP、BGA、CSP），技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)，包括芯片面積與封裝面積之比越來(lái)越接近，適用頻率越來(lái)越高，耐溫性能越來(lái)越好，以及引腳數(shù)增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便等等。
BGA封裝技術(shù)的發(fā)展越來(lái)越成熟，已經(jīng)被應(yīng)用到很多集成電路上，這種封裝技術(shù)大大縮小了集成電路的體積，增強(qiáng)電路的功能，減小功耗，降低生產(chǎn)成本。
錫球特點(diǎn)
本產(chǎn)品的純度和圓球度均非常高，適用于BGA，CSP等尖端封裝技術(shù)及微細(xì)焊接使用，使用時(shí)具自動(dòng)校正能力並可容許相對(duì)較大的置放誤差，無(wú)端面平整度問題。
錫球合金成份
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合金成分 |
熔點(diǎn)(℃) |
用途 |
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固相線 |
液相線 |
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Sn63/Pb37 |
183 |
183 |
常用錫球 |
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Sn62/Pb36/Ag2 |
179 |
179 |
用于含銀電極元件的焊接 |
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Sn10/Pb90 |
268 |
300 |
無(wú)鉛焊接 |
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Sn96.5/Ag3.5 |
221 |
221 |
無(wú)鉛焊接 |
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Sn95.5/Ag4/Cu0.5 |
217 |
217 |
無(wú)鉛焊接 |
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Sn96.5/Ag3/Cu0.5 |
217 |
217 |
無(wú)鉛焊接 |
錫球型號(hào)、包裝
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直徑（mm） |
公差（mm） |
真圓度（mm） |
粒 / 瓶 |
克 / 瓶（凈重） |
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0.25 |
±0.010 |
＜0.008 |
100萬(wàn)粒 |
68.92g |
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0.30 |
±0.010 |
±0.010 |
100萬(wàn)粒 |
119.05g |
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0.35 |
±0.010 |
±0.010 |
50萬(wàn)粒 |
189.02g |
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0.40 |
±0.012 |
±0.011 |
50萬(wàn)粒 |
141.50g |
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0.45 |
±0.012 |
±0.012 |
25萬(wàn)粒 |
200.85g |
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0.50 |
±0.015 |
±0.013 |
25萬(wàn)粒 |
137.80g |
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0.55 |
±0.015 |
±0.015 |
25萬(wàn)粒 |
188.10g |
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0.60 |
±0.018 |
±0.016 |
25萬(wàn)粒 |
238.08g |
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0.65 |
±0.018 |
±0.018 |
25萬(wàn)粒 |
303.11g |
|
0.70 |
±0.020 |
±0.019 |
25萬(wàn)粒 |
378.52g |
|
0.76 |
±0.020 |
±0.020 |
25萬(wàn)粒 |
484.45g |
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0.889 |
±0.025 |
±0.025 |
12.5萬(wàn)粒 |
387.66g |
錫球物理參數(shù)
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物理特性 |
熔點(diǎn) |
密度 |
導(dǎo)電性 |
熱膨脹系數(shù) |
導(dǎo)熱性 |
抗剪強(qiáng)度 |
抗張強(qiáng)度 |
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（℃） |
（mg/cm3） |
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in/in℃@20℃ |
w/cm℃@85℃ |
PSI |
PSI |
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Sn63/Pb37 |
183 |
8.38 |
11.46 |
25.2 |
0.5 |
6200 |
7500 |
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Sn62/Pb36/Ag2 |
179 |
8.42 |
11.85 |
27.1 |
0.5 |
7540 |
7540 |
