產(chǎn)品詳情
防城港熔鋼爐熔鐵爐生產(chǎn)商 1-50kg鋼鐵熔煉爐
（1） 高中頻熔煉爐用于金、銀、銅、錫、鋁、鐵、不銹鋼、鉑金等貴金屬材料的熔煉加熱。熔煉量從1KG至200KG。主要是通過坩鍋容器把貴金屬瞬間感應(yīng)升溫后進行熔煉、提純、鑄造等工藝。
（2） 高中頻熔煉有很好的電磁攪拌作用，用利于熔煉金屬溫度及組織的均勻，有利于浮渣，減少雜質(zhì)；
（3） 頻率范圍，高頻20-50KHZ，中頻1-10KHZ，可綜合考慮熔煉量，電磁攪拌作用，加熱效率，工作時的噪音等因素設(shè)計感應(yīng)圈及匹配補償電容，決定輸出頻率的大??；
（4） 比可控硅中頻，節(jié)能最少20%以上；
（5） 設(shè)備體積小，重量輕，熔煉量從幾公斤到二百公斤，可選擇范圍很大，既適合工廠生產(chǎn)使用，也適合學(xué)校和研究所小量熔煉使用或者公司檢測含量使用。
高中頻熔煉爐設(shè)備特性：
本產(chǎn)品技術(shù)為市場上最新最技術(shù)，匯集多名國內(nèi)外知名專家的科研成果，成功的由最初的電子管技術(shù)→晶體管MOSFET技術(shù)→IGBT模塊技術(shù)之間轉(zhuǎn)換升級。所有機型都配有IGBT模塊技術(shù)，使產(chǎn)品穩(wěn)定性方面做到更好!
主要熔煉爐加熱能力及優(yōu)點：
1. 高頻熔煉爐：單次融化時間1-8分鐘
2. 中頻熔煉爐：冷爐時，每爐熔煉時間為40--50分鐘，熱爐時，每爐熔煉時間為20--30分鐘。低熔點金屬融化速度會更快。
3. 最高爐溫可達1200-1600度。
4. 升溫速度快，升溫后溫度恒定。
5. 安裝簡單、操作安全、環(huán)保節(jié)能。
6. 重量輕、體積小、提純效率高。
7. 保護全：設(shè)有過壓、過流、進熱、缺水等報警裝置，并自動控制和保護。
高頻熔煉爐的基本組成：
包括高頻電源（一體機或者分體機）、感應(yīng)圈、坩堝.
中頻熔煉爐的基本組成：
包括中頻電源、補償電容箱及爐體等。根據(jù)不同的應(yīng)用要求，還可能包括紅外測溫儀，控溫儀等裝置；熔煉爐分為三種：翻倒式熔煉爐、頂出式熔煉爐和固定式熔煉爐。翻倒式熔煉爐按照翻倒方式可分為機械式翻倒爐、電動式翻倒爐 。
（1） 高中頻熔煉爐用于金、銀、銅、錫、鋁、鐵、不銹鋼、鉑金等貴金屬材料的熔煉加熱。熔煉量從1KG至200KG。主要是通過坩鍋容器把貴金屬瞬間感應(yīng)升溫后進行熔煉、提純、鑄造等工藝。
（2） 高中頻熔煉有很好的電磁攪拌作用，用利于熔煉金屬溫度及組織的均勻，有利于浮渣，減少雜質(zhì)；
（3） 頻率范圍，高頻20-50KHZ，中頻1-10KHZ，可綜合考慮熔煉量，電磁攪拌作用，加熱效率，工作時的噪音等因素設(shè)計感應(yīng)圈及匹配補償電容，決定輸出頻率的大??；
（4） 比可控硅中頻，節(jié)能最少20%以上；
（5） 設(shè)備體積小，重量輕，熔煉量從幾公斤到二百公斤，可選擇范圍很大，既適合工廠生產(chǎn)使用，也適合學(xué)校和研究所小量熔煉使用或者公司檢測含量使用。
高中頻熔煉爐設(shè)備特性：
本產(chǎn)品技術(shù)為市場上最新最技術(shù)，匯集多名國內(nèi)外知名專家的科研成果，成功的由最初的電子管技術(shù)→晶體管MOSFET技術(shù)→IGBT模塊技術(shù)之間轉(zhuǎn)換升級。所有機型都配有IGBT模塊技術(shù)，使產(chǎn)品穩(wěn)定性方面做到更好!
主要熔煉爐加熱能力及優(yōu)點：
1. 高頻熔煉爐：單次融化時間1-8分鐘
2. 中頻熔煉爐：冷爐時，每爐熔煉時間為40--50分鐘，熱爐時，每爐熔煉時間為20--30分鐘。低熔點金屬融化速度會更快。
3. 最高爐溫可達1200-1600度。
4. 升溫速度快，升溫后溫度恒定。
5. 安裝簡單、操作安全、環(huán)保節(jié)能。
6. 重量輕、體積小、提純效率高。
7. 保護全：設(shè)有過壓、過流、進熱、缺水等報警裝置，并自動控制和保護。
工作原理：高頻電流流向被繞制成環(huán)狀或其它形狀的加熱線圈（通常是用紫銅管制作）。利用被加熱物體內(nèi)存在電阻，會產(chǎn)生很多的焦耳熱，使物體自身的溫度迅速上升，因此達到對所有金屬材料加熱的目的。防城港熔鋼爐熔鐵爐生產(chǎn)商 1-50kg鋼鐵熔煉爐
