產(chǎn)品詳情
這是失配隨著外延生長(zhǎng)過程逐漸傳播開來,一直到達(dá)晶體表面哈默納科晶體加工諧波CSF-11-30-2A-R,成為區(qū)域性缺陷,這就是外延層錯(cuò)。防止外延層錯(cuò),外延前先將襯底在外延爐反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行HCl氣相拋光,提高氫氣濃度,控制好外延生長(zhǎng)溫度和速率等都是行之有效的方法。單位面積內(nèi)的層錯(cuò)數(shù)量為層錯(cuò)密度。將外延片在按比例配成的二氧化鉻、HF水溶液中腐哈默納科晶體加工諧波CSF-11-30-2A-R蝕后,置于顯微鏡下觀測(cè),就能測(cè)出層錯(cuò)密度。
表面缺陷通過肉眼和顯微鏡可以直接觀察到,主要有劃痕、哈默納科晶體加工諧波CSF-11-30-2A-R霧狀、角錐體、乳突、星形缺陷、小丘和雪球、麻坑、彎曲、圖形漂移和畸變等,主要形成原因是操作不當(dāng),環(huán)境不潔、襯底制備不良、生長(zhǎng)條件不適當(dāng)?shù)龋捎孟鄬?duì)措施即可降低層錯(cuò)密度。