產(chǎn)品詳情
為了解決器件高擊穿電壓與低集電極電阻對(duì)襯底材料電阻率要求的矛盾,日本HD單晶硅片諧波CSF-11-30-2A-R從而采用在外延層上做芯片。但是目前國(guó)內(nèi)高阻外延尚不能將電阻率做得足夠高,如果器件不僅僅反向擊穿高,而且結(jié)深也相當(dāng)深,那就要求外延層既要高阻又要很厚,這在實(shí)際生產(chǎn)上會(huì)遇到一定的困難,于是產(chǎn)生了一種叫做“三重?cái)U(kuò)日本HD單晶硅片諧波CSF-11-30-2A-R散”的硅片材料工藝。
在低摻雜的N型單晶硅片上進(jìn)行較長(zhǎng)時(shí)間N型雜質(zhì)擴(kuò)散,形成N+NN+結(jié)構(gòu),然后通過(guò)磨片拋光去掉一面N+層剩下NN+兩層,以擴(kuò)散層N+為襯底支撐,在N層即原襯底上做芯片,這種工藝叫做三重?cái)U(kuò)散(通常晶體管日本HD單晶硅片諧波CSF-11-30-2A-R制作只有基區(qū)擴(kuò)散和發(fā)射區(qū)擴(kuò)散,這是第三種擴(kuò)散;從字面意義上來(lái)說(shuō),