主營產(chǎn)品：上海諧波減速機(jī)|哈默納科|harmonic|NIKUNI|山洋
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| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號(hào) | CSF-11-30-2A-R, |
| 類型 | 諧波減速器 | 載荷狀態(tài) | 中等沖擊載荷 |
| 傳動(dòng)比級(jí)數(shù) | 雙級(jí) | 軸的相對(duì)位置 | 立式加速器 |
| 傳動(dòng)布置形式 | 擺線式 | 加工定制 | 否 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 現(xiàn)貨 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 擺線式 | 用途 | 減速機(jī) |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 1500rpm | 額定功率 | 15kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 111rpm | 許用扭矩 | 1782N.m |
| 使用范圍 | 機(jī)械設(shè)備 | 減速比 | 887 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
而僅僅作為淀積二氧化硅氧化膜的襯底（也可以不是硅襯底），日本HD硅片加工諧波CSF-11-30-2A-R保持硅片厚度不變（這是和熱氧化法的根本區(qū)別）。因?yàn)檫@種方法可以在較低溫度下應(yīng)用，因此稱為“低溫淀積”。常用的熱分解淀積氧化膜反應(yīng)源物質(zhì)有正硅酸乙酯和硅烷兩種。
正硅酸乙酯熱分解淀積的溫度控制在20℃左右，反應(yīng)在真空狀態(tài)下日本HD硅片加工諧波CSF-11-30-2A-R進(jìn)行，真空度必須在100*133.3Pa以上，淀積時(shí)間根據(jù)膜厚決定。淀積得到的二氧化硅氧化膜不如熱生長的致密，但如果在真空淀積之后經(jīng)過適當(dāng)?shù)脑雒芴幚砜墒蛊滟|(zhì)量有所改善，方法是硅片在反應(yīng)爐內(nèi)加熱升溫到850—900℃半小時(shí)左右，之后再在干日本HD硅片加工諧波CSF-11-30-2A-R燥的氮?dú)?、氬氣或者氧氣氣氛中繼續(xù)加熱一段時(shí)間即可。
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