產(chǎn)品詳情
Asymmetric Gate turn-off Thyristor
5SGA 15F2502
VDRM =2500 V
ITGQM =1500 A
ITSM= 10×103 A
VT0=1.45 V
rT=0.90 mW
VDcb =1400 V
· 自由漂浮硅技術(shù)
· 低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗
· 環(huán)形閘極
· 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的外殼
· 宇宙輻射耐受等級(jí)
門(mén)極可關(guān)斷晶閘管（GTO）的生產(chǎn)始于19世紀(jì)80年代中期。GTO是晶閘管的其中一種，可以通過(guò)門(mén)極施加反向電流使其關(guān)斷。GTO 的生產(chǎn)始于 20 世紀(jì) 80 年代中期。GTO 是一種晶閘管，向門(mén)級(jí)反向施加電流便可關(guān)斷，反之則導(dǎo)通。
GTO 經(jīng)過(guò)優(yōu)化，傳導(dǎo)損耗很低。對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用，典型的開(kāi)關(guān)頻率在 200 - 500 赫茲范圍內(nèi)。GTO 本質(zhì)上是相對(duì)較慢的開(kāi)關(guān)。從開(kāi)到關(guān)的典型轉(zhuǎn)換時(shí)間在 10 - 30 微秒范圍內(nèi)，反之亦然。GTO 的導(dǎo)通和關(guān)斷都需要稱(chēng)為“緩沖器”的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)。導(dǎo)通緩沖器電路本質(zhì)上是電感器，可以限制電流上升的速率。至于關(guān)斷，GTO 需要一個(gè)限制電壓上升速率的器件，從本質(zhì)上來(lái)說(shuō)就是電容器。日立能源所有的 GTO 都是壓接封裝器件。以大力將 GTO 壓接到散熱器上，而散熱器也當(dāng)作電源端子的電觸點(diǎn)。
5SGA 15F2502
VDRM =2500 V
ITGQM =1500 A
ITSM= 10×103 A
VT0=1.45 V
rT=0.90 mW
VDcb =1400 V
· 自由漂浮硅技術(shù)
· 低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗
· 環(huán)形閘極
· 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的外殼
· 宇宙輻射耐受等級(jí)
門(mén)極可關(guān)斷晶閘管（GTO）的生產(chǎn)始于19世紀(jì)80年代中期。GTO是晶閘管的其中一種，可以通過(guò)門(mén)極施加反向電流使其關(guān)斷。GTO 的生產(chǎn)始于 20 世紀(jì) 80 年代中期。GTO 是一種晶閘管，向門(mén)級(jí)反向施加電流便可關(guān)斷，反之則導(dǎo)通。
GTO 經(jīng)過(guò)優(yōu)化，傳導(dǎo)損耗很低。對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用，典型的開(kāi)關(guān)頻率在 200 - 500 赫茲范圍內(nèi)。GTO 本質(zhì)上是相對(duì)較慢的開(kāi)關(guān)。從開(kāi)到關(guān)的典型轉(zhuǎn)換時(shí)間在 10 - 30 微秒范圍內(nèi)，反之亦然。GTO 的導(dǎo)通和關(guān)斷都需要稱(chēng)為“緩沖器”的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)。導(dǎo)通緩沖器電路本質(zhì)上是電感器，可以限制電流上升的速率。至于關(guān)斷，GTO 需要一個(gè)限制電壓上升速率的器件，從本質(zhì)上來(lái)說(shuō)就是電容器。日立能源所有的 GTO 都是壓接封裝器件。以大力將 GTO 壓接到散熱器上，而散熱器也當(dāng)作電源端子的電觸點(diǎn)。
