產(chǎn)品詳情
微影光蝕刻術(shù)起源于照相制版的技術(shù)。自1970年起，哈默納科正負(fù)光阻諧波傳動CSF-17-80-2A-R 才大量使用于半導(dǎo)體制程之圖形轉(zhuǎn)寫復(fù)制。原理即利用對紫外線敏感之聚合物，或所謂光阻（photo-resist）之受曝照與否，來定義該光阻在顯影液（developer）中是否被蝕除，而最終留下與遮掩罩幕，即光罩（mask）哈默納科正負(fù)光阻諧波傳動CSF-17-80-2A-R相同或明暗互補(bǔ)之圖形；相同者稱之「正光阻」(positiveresist)，明暗互補(bǔ)者稱之「負(fù)光阻」(negativeresist)，如圖2-6所示。一般而言，正光阻，如AZ-1350、AZ-5214、FD-6400L等，其分辨率及邊緣垂直度均佳，但易變質(zhì)，儲存期限也較短(約半年到一年之間)，常用哈默納科正負(fù)光阻諧波傳動CSF-17-80-2A-R于學(xué)術(shù)或研發(fā)單位；而負(fù)光阻之邊緣垂直度較差，但可儲存較久，常為半導(dǎo)體業(yè)界所使用。
