IGBT西門康SKM145GAR176D半導體igbt

上海萱鴻電子科技有限公司:

代理功率半導體產品及配套器件，IGBT以及配套驅動網上供應商。公司憑借多年的從業(yè)經驗、不懈的開拓精神及良好的商業(yè)信譽，在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)形象，同時與多家電力電子企業(yè)和上市公司長期保持著穩(wěn)定互信的合作關系，也是眾多電子廠商（富士、三菱、英飛凌、西門康，艾塞斯，尼爾，ABB，西瑪，三社、宏微等）的誠信代理商和分銷商。通過多年的實戰(zhàn)經驗，公司積累了堅實的功率半導體應用知識，為電力拖動、風力發(fā)電、電焊機、電力機車等行業(yè)提供完善的解決方案，為客戶提供技術支持！ 代理品牌：

1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產品；

2、富士、三菱、英飛凌、西門康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產品；

3、CONCEPT、IDC驅動片及驅動板；

4、巴斯曼（BUSSMANN)，西門子，日之出等品牌熔斷器、底座、熔芯等；

愿為廣大客戶提供優(yōu)良的產品、滿意的服務。

品種齊全、價格優(yōu)惠、歡迎咨詢！

IGBT的分類及主要參數（PT-IGBT與NPT-IGBT區(qū)別）

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極廣泛的應用。與此同時，各大半導體生產廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可性、低成本技術，主要采用1ｕm以下制作工藝，研制開發(fā)取得一些新進展。

分類及其含義說明

1、低功率IGBT

IGBT應用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域，為滿足家電行業(yè)的發(fā)展需求，摩托羅拉、ST半導體、三菱等公司推出低功率IGBT產品，實用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產品的應用。

2、U-IGBT

U（溝槽結構）--TGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞內部形成溝槽式柵極。采用溝道結構后，可進一步縮小元胞尺寸，減少溝道電阻，提高電流密度，制造相同額定電流而芯片尺寸 少的產品?，F有多家公司生產各種U—IGBT產品，適用低電壓驅動、表面貼裝的要求。

3、NPT-IGBT

NPT（非傳統(tǒng)型）--IGBT采用薄硅片技術，以離子注入發(fā)射區(qū)代替高復雜、高成本的厚層高阻外延，可降低生產成本25%左右，耐壓越高成本差越大，在性能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度系數，無鎖定效應，在設計600—1200V的IGBT時，NPT—IGBT可*性 。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產品和6500V高壓IGBT，并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT，依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列，富士電機、摩托羅拉等在研制之中，NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。

4、SDB--IGBT

鑒于目前廠家對IGBT的開發(fā)非常重視，三星、快捷等公司采用SDB（硅片直接鍵合）技術，在IC生產線上制作第四代高速IGBT及模塊系列產品，特點為高速，低飽和壓降，低拖尾電流，正溫度系數易于并聯，在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良，分為UF、RUF兩大系統(tǒng)。

5、超快速IGBT

國際整流器IR公司的研發(fā)重點在于減少IGBT的拖尾效應，使其能快速關斷，研制的超快速IGBT可 限度地減少拖尾效應，關斷時間不超過2000ns，采用特殊高能照射分層技術，關斷時間可在100ns以下，拖尾更短，重點產品專為電機控制而設計，現有6種型號，另可用在大功率電源變換器中。

6、IGBT/FRD

IR公司在IGBT基礎上推出兩款結合FRD（快速恢復二極管）的新型器件，IGBT/FRD有效結合，將轉換狀態(tài)的損耗減少20%，采用TO—247外型封裝，額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A，用于電機驅動和功率轉換，以IGBT及FRD為基礎的新技術便于器件并聯，在多芯片模塊中實現更平均的溫度，提高整體可靠性。

7、IGBT功率模塊

IGBT功率模塊采用IC驅動，各種驅動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術，從復合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝PEBB，大大降低電路接線電感，提高系統(tǒng)效率，現已開發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點。

IGBT的主要參數

（1）額定集電極—發(fā)射極電壓u。，。——在室溫下，IGBT所允許的 集電極—發(fā)射極問電壓，一般為其擊穿電壓U(BR) CEO的60 %~80%。其單位為V；

(2)額定柵極—發(fā)射極電壓UGER ——在室溫下，當 IGBT的集電極—發(fā)射極間電壓為UCER時，柵極—發(fā)射極問允許施加的 電壓，一般小于20V。其單位為V；

(3)集電極通態(tài)電流Ic——在室溫下，當 IGBT導通時，集電極允許通過的 電流的有效值稱為IGBT的額定電流，用ICE表示；而允許通過的峰值電流用ICM表示。在電流脈沖寬度為1μs時，ICM≈2ICE，其單位為A；

(4)集電極 功耗PCM ——在室溫下，IGBT集電極允許的 功耗。其單位為W；

(5)柵極漏電流 IGEO——在室溫下，當 UCE＝ 0V、柵極—發(fā)射極電壓為其額定值UGER時，IGBT柵極—發(fā)射極間的電流。其單位為μA；

(6)集電極斷態(tài)電流 ICES一一在室溫下，當集電極—發(fā)射極間電壓為額定值UCER，柵極—發(fā)射極電壓UGE =0時的集電極電流，即集電極漏電流。其單位為mA；

(7)柵極—發(fā)射極開啟電壓UGE(th）——在室溫下，IGBT從關斷狀態(tài)進入導通狀態(tài)時，柵極—發(fā)射極間電壓。其單位為V；

(8)集電極—發(fā)射極飽和電壓UCE(sat）—— 在室溫下，集電極—發(fā)射極間的電壓降，一般為3V以下。其單位為V；

(9)柵極電容C，。，-IGBT柵極—發(fā)射極間的輸入 電容，一般為3000一 30000pF;

(10)導通延遲時間td——在室溫下，柵極-發(fā)射極問電壓從反向偏置變到UGE=UGE（th）所需的時間。其單位為μs或ns；

(11)電流上升時間tir——在室溫下，在導通過程中，從柵極—發(fā)射極電壓達到開啟電壓UGE（th）起，到集電極電流達到 ICM所需的時間。其單位為μs或ns；

(12）電壓下降時間tuf——在室溫下，在導通過程中，從.IGBT的集電極—發(fā)射極間電壓開始下降起，到集電極—發(fā)射極電壓達到飽和電壓UCE(sat）所需的時間。其單位為vs或ns；

(13)導通時間ton——ton＝td+tir+tuf。其單位為μs或ns；

(14)存儲時間ts——在室溫下，在關斷過程中，從IGBT的柵極—發(fā)射極開始下降起，到柵極—發(fā)射極電壓下降到UGE＝UGE(th)，集電極電流開始下降所需的時間。其單位為μs或ns；

(15)電壓上升時間tur——在室溫下，在關斷過程中，從IGBT的集電極電流開始下降起，到因di/dt的作用產生電壓過沖所需的時間。其單位為μs或ns；

(16)電流下降時間tif ——在室溫下，在關斷過程中，從IGBT的集電極—發(fā)射極間產生電壓過沖起，到集電極電流下降到集電極—發(fā)射極漏電流所需的時間。其單位為μs或ns；

(17)關斷時間toff——toff=ts+tur+tif。其單位為μs或ns；

(18) du/dt-在室溫下，IGBT不產生誤導通，集電極—發(fā)射極問所能承受的 的電壓上升率。其單位為V/μs；

(19)熱阻Rθ——在室溫下，單位功耗引起 IGBT管芯的溫升。其單位為℃/W；

(20) 允許結溫TjM ——IGBT所允許的 結溫。其單位為℃。TjM與IGBT的封裝形式有關。對于塑封單管IGBT，TjM =125℃；對于模塊化封裝的IGBT，TjM＝150℃。

PT-IGBT與NPT-IGBT的區(qū)別

PT-IGBT與NPT-IGBT是同是采用溝槽柵或平面柵技術，但是他們的發(fā)展方向不一致。

·PT-IGBT：采用平面柵或者溝槽柵，技術改進的主要方向是控制載流子壽命和優(yōu)化N+緩沖區(qū)。

·NPT-IGBT：采用平面柵或者溝槽柵，技術改進的主要方向是減小芯片厚度.。

PT與NPT結構與原理對比

1．PT-IGBT

所謂PT（Punch Through，穿通型），是指電場穿透了N-漂移區(qū)（圖1中③)，電子與空穴的主要匯合點在N一區(qū)[圖1(c)]。

NPT在實驗室實現的時間(1982 年)要早于PT(1985)，但技術上的原因使得PT規(guī)模商用化的時間比NPT早，所以第1代IGBT產品以PT型為主。

PT-IGBT很好地解決了IGBT的閂鎖問題，但是需要增加外延層厚度，技術復雜，成本也高。IGBT芯片中的外延層與電壓規(guī)格是直接相關的，電壓規(guī)格越高、外延層越厚，IZOOV、2000V的PT-IGBT外延層厚度分別達到了100μm和200μm。

2．NPT-IGBT

所謂NPT（Non-Punch Through，非穿通），是指電場沒有穿透N-漂移區(qū)，構如圖3所示。NPT的基本技術原理是取消N十緩沖區(qū)（圖1中的④)，直接在集電區(qū)（圖1中的⑤）注入空間電荷形成高阻區(qū)，電子與空穴的主要匯合點換成了P十集電區(qū)。這項技術又被稱為離子注入法、離子摻雜工藝。

3．PT-IGBT與NPT-IGBT生產工藝與技術性的區(qū)別

PT與NPT型IGBT是目前的主流產品類型，600V 電壓規(guī)格的IGBT基本上是PT型，600v以下則全是PT型。二者在生產工藝與技術性能上的差別參見表 1。

項目PT-IGBT芯片NPT-IGBT芯片

生產工藝與芯片結構原料f單晶硅）低電阻率的P+單晶硅（生成P+背發(fā)射區(qū)）高電阻率的N-單晶硅（生成N-漂移區(qū)）

外延工藝需要不需要

MOS結構在外延層中在單晶硅中

芯片減薄工藝基本不需要（為了保證電壓規(guī)格）需要（有利于提高性能）

離子注入工藝不需要（P+背發(fā)射區(qū)已經生成）需要（生成P+背發(fā)射區(qū)）

高能離子輻照工藝需要（中子、電子等）（目的是提高開關速度）不需要

成本100%約75&

技術指標與性能飽和壓降低，負溫度系數高，正溫度系數

開關功耗低高

關斷功耗高，收溫度的影響大低，受溫度的影響小

關斷時間長（飽和壓降指標相同時）短（飽和壓降指標相同時）

拖尾電流短，受溫度的影響大長，受溫度的影響小

閂鎖易出現，抗短路能力弱不易出現，抗短路能力強

雪崩擊穿抗雪崩擊穿能力低抗雪崩擊穿能力高

并聯復雜，飽和壓降指標需要配對容易，飽和壓降指標不一定需要配對

PT與NPT生產工藝的區(qū)別如下:

·PT-IGBT芯片的生產從集電區(qū)（P+背發(fā)射區(qū)）開始，先在單 晶 硅的背面生成低摻雜的P+發(fā)射區(qū)，然后用外延工藝在單晶硅的正面依次生成N十緩沖區(qū)、MOS結構。

·NPT-IGBT芯片的生產從基區(qū)(N-漂移區(qū))開始，先在N型單 晶 硅的正面生成MOs結構，然后用研磨減薄工藝從背面減薄到 IGBT 電壓規(guī)格需要 L的厚度，再從背面用離子注入工藝生成集電區(qū)。