產品詳情
紅外激光劃片機
產品介紹：
晶圓激光切割機/SA-IR20WD（底相機對準）型，相比傳統(tǒng)機型，主要增加：底部相機、增加底部成像鏡頭、增加底部成像光源，可實現(xiàn)晶圓片底部對準，保留原有上相機更能，可實現(xiàn)正切和背切功能。
技術參數(shù)：
技術規(guī)格 項目 單位 數(shù)值
對準方式 底部對準，兼容頂部對準
最大加工尺寸 承片臺 inch 4英寸
最大切割深度 單晶硅 um ≤150微米
激光器功率 w 20瓦
激光器波長 nm 1064nm紅外
激光器 重復頻率 KHZ 20千-60微米
切割速度 mm/s 150毫米每秒
切割參數(shù) 切割線寬 um 40-60微米
工作臺承載方式 大理石 mm 厚度100毫米
最大耗電量 Kw 2.0千瓦
壓縮空氣供給壓力 MPa 0.5-0.8兆帕
排風量（工廠自備） m3/min 3立方每分鐘
設備尺寸（W*D*H） mm 980*1270*1740毫米
其他規(guī)格 設備重量 KG 660千克
排風口口徑 mm 50毫米
紅外激光不能切割玻璃，玻璃會有裂紋；
紅外激光切割深度為80-90um，超過該深度裂片效果不佳，請在芯片工藝設計時，考慮片厚及溝槽深度，以決定所需要切割的硅總厚度。
產品介紹：
晶圓激光切割機/SA-IR20WD（底相機對準）型，相比傳統(tǒng)機型，主要增加：底部相機、增加底部成像鏡頭、增加底部成像光源，可實現(xiàn)晶圓片底部對準，保留原有上相機更能，可實現(xiàn)正切和背切功能。
技術參數(shù)：
技術規(guī)格 項目 單位 數(shù)值
對準方式 底部對準，兼容頂部對準
最大加工尺寸 承片臺 inch 4英寸
最大切割深度 單晶硅 um ≤150微米
激光器功率 w 20瓦
激光器波長 nm 1064nm紅外
激光器 重復頻率 KHZ 20千-60微米
切割速度 mm/s 150毫米每秒
切割參數(shù) 切割線寬 um 40-60微米
工作臺承載方式 大理石 mm 厚度100毫米
最大耗電量 Kw 2.0千瓦
壓縮空氣供給壓力 MPa 0.5-0.8兆帕
排風量（工廠自備） m3/min 3立方每分鐘
設備尺寸（W*D*H） mm 980*1270*1740毫米
其他規(guī)格 設備重量 KG 660千克
排風口口徑 mm 50毫米
紅外激光不能切割玻璃，玻璃會有裂紋；
紅外激光切割深度為80-90um，超過該深度裂片效果不佳，請在芯片工藝設計時，考慮片厚及溝槽深度，以決定所需要切割的硅總厚度。
