產(chǎn)品詳情
均能有效提高蝕刻速率;但濃度之影響則較不明確。舉例來說,哈默納科薄膜加工諧波SHF-40-80-2UH SHF-40-80-2UH 以49%的HF蝕刻SiO2,當然比BOE(Buffered-Oxide-Etch;HF:NH4F=1:6)快的多;但40%的KOH蝕刻Si的速率卻比20%KOH慢!濕蝕刻的配方選用是一項化學的專業(yè),對于一般不是這方面的研究人員哈默納科薄膜加工諧波SHF-40-80-2UH,必須向該化學專業(yè)的同儕請教。一個選用濕蝕刻配方的重要觀念是「選擇性」(selectivity),意指進行蝕刻時,對被蝕物去除速度與連帶對其他材質(zhì)(如蝕刻掩膜;etchingmask,或承載被加工薄膜之基板;substrate)的腐蝕速度之比值。一個具有高選擇性的蝕刻系哈默納科薄膜加工諧波SHF-40-80-2UH統(tǒng),應(yīng)該只對被加工薄膜有腐蝕作用,而不傷及一旁之蝕刻掩膜或其下的基板材料。