產品詳情
熱擴散的第二步是推進，其作用是使淀積的雜質穿過硅晶體，哈默納科半導體硅諧波CSF-50-160-2UH在硅片中達到一定的深度。推進溫度在1000~1250℃。熱擴散的第三步是激活，當溫度進一步升高時，雜質原子與硅原子鍵合，從而改變硅的導電率。雜質只有在成為硅晶格的結構的一部分，才有助于形成半導體硅。
擴散在高溫擴散爐中進行，在高溫爐中完成擴散的三個步驟。哈默納科半導體硅諧波CSF-50-160-2UH高溫爐設備結構見2.5.1節(jié)熱處理工藝單元設備。
通過物理注入方式向硅襯底引入一定數(shù)量的雜質，將改變硅片的電學性能。離子注入的主要用途是摻雜半導體材料。目前離子注入方法優(yōu)于擴散工藝，成為半導體摻雜工藝的主要方法。
1.離子注入機
離子注入工藝在離子注入機內進行。哈默納科半導體硅諧波CSF-50-160-2UH，一般離子注入機設備包括5個部分。
（1） 離子源。注入離子在離子源中產生，正離子由雜質氣態(tài)源或固態(tài)源的蒸汽產生。
引出電極（吸級）和離子分析器。離子通過離子源上的一個窄縫被吸出組件吸引。
