產(chǎn)品詳情
拖住化學(xué)蒸氣分子;同時因硅芯片表面溫度高于邊界層外緣之蒸氣溫度日本HD晶圓設(shè)備諧波SHD-20-100-2SH,芯片將釋出熱量,來供給被拖住之化學(xué)蒸氣分子在芯片表面完成薄膜材質(zhì)解離析出之所需能量。所以基本上,化學(xué)氣相沉積就是大自然「輸送現(xiàn)象」(transportphenomena)的應(yīng)用。
常壓化學(xué)氣相沉積速度頗快,但成日本HD晶圓設(shè)備諧波SHD-20-100-2SH長薄膜的質(zhì)地較為松散。另外若晶圓不采水平擺放的方式(太費空間),薄膜之厚度均勻性(thicknessunibity)不佳。
1、 低壓化學(xué)氣相沉積(LowPressureCVD;LPCVD)
為進行50片或更多晶圓之批次量產(chǎn),爐管內(nèi)之晶圓勢必要垂直日本HD晶圓設(shè)備諧波SHD-20-100-2SH密集地豎放于晶舟上,這明顯衍生沉積薄膜之厚度均勻性問題;