產(chǎn)品詳情
CMP的主要工藝參數(shù)有:拋光時間、磨頭向下壓力、轉(zhuǎn)盤速度、哈默納科精密磨料諧波LA-30B-10-F-L 磨頭速度、磨料化學(xué)成分、磨料流速、拋光墊修整、硅片/磨料溫度、硅片背壓。
CMP工作過程的一個重要工藝步驟是終點(diǎn)檢測哈默納科精密磨料諧波LA-30B-10-F-L ,通常使用兩種方法,一是電機(jī)電流終點(diǎn)檢測,在拋光時硅片上不同材料的摩擦特性不一致,那么磨頭電機(jī)感受到的阻力會有不同變化,電機(jī)電流也會相應(yīng)發(fā)生變化。通過檢測電機(jī)電流變化判斷拋光過程是否進(jìn)入不同材料層,從而判斷是否到達(dá)拋光終點(diǎn)。二是光學(xué)終點(diǎn)檢測,哈默納科精密磨料諧波LA-30B-10-F-L 該技術(shù)是基于光的反射系數(shù),在反射光譜學(xué)中,光從膜層上反射的不同角度與膜層材料和厚度有關(guān)。