AP50N10 場(chǎng)效應(yīng)MOS管 TO252 100V 50A N道溝MOS管

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第3年

深圳市世微半導(dǎo)體有限公司

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  • 經(jīng)營(yíng)模式： 生產(chǎn)加工-私營(yíng)有限責(zé)任公司
  • 所在地區(qū)：廣東 深圳市
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詳細(xì)參數(shù)
品牌其他型號(hào)AP50N10
種類絕緣柵型導(dǎo)電方式耗盡型
溝道類型N溝道可測(cè)氣體硫化氫
加工定制是產(chǎn)地深圳

產(chǎn)品詳情

Super Low Gate Charge
Green Device Available
Excellent Cdv/dt effect decline
Advanced high cell density Trench
technology
Product Summary
BVDSS
RDSON
ID
100V
18 mΩ
50A
Debion
TO252 Pin Configuration
The AP50N10 is the highest perbance trench N-
ch MOSFETs with extreme high cell density,
which provide excellent RDSON and gate charge
for most of the synchronous buck converter
applications .
The AP50N10 meet the RoHS and Green Product
requirement, 100% EAS guaranteed with full

function reliability approved.

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