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第3年

中海德（福建）工業(yè)設(shè)備有限公司

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詳細(xì)參數(shù)
品牌其他型號(hào)3BSE004203R1
氣源其他啟動(dòng)方式其他
加工定制否額定電壓其他
產(chǎn)品認(rèn)證其他顏色其他
外形尺寸其他相數(shù)其他

產(chǎn)品詳情

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。

陳！??！ 18.06.05.03.85.3

51305072-100

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CLCN-B LCN I/O Card CE

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CLCN-A/B LCN I/O short CE

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5-slot chassis Fan Assy

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