產(chǎn)品詳情
6XV1830-0EH10 西門(mén)子6XV1830-0EH10 西門(mén)子6XV1830-0EH10電纜
空間的輻射電磁場(chǎng)（EMI）主要是由電力網(wǎng)絡(luò)、電氣設(shè)備的暫態(tài)過(guò)程、雷電、無(wú)線電廣播、電視、雷達(dá)、高頻感應(yīng)加熱設(shè)備等產(chǎn)生的，通常稱為輻射干擾，其分布極為復(fù)雜。若PLC系統(tǒng)置于所射頻場(chǎng)內(nèi)，就回收到輻射干擾，其影響主要通過(guò)兩條路徑：一是直接對(duì)PLC內(nèi)部的輻射，由電路感應(yīng)產(chǎn)生干擾；而是對(duì)PLC通信內(nèi)網(wǎng)絡(luò)的輻射，由通信線路的感應(yīng)引入干擾。輻射干擾與現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備布置及設(shè)備所產(chǎn)生的電磁場(chǎng)大小，特別是頻率有關(guān)，一般通過(guò)設(shè)置屏蔽電纜和PLC局部屏蔽及高壓泄放元件進(jìn)行保護(hù)。
PLC系統(tǒng)的正常供電電源均由電網(wǎng)供電。由于電網(wǎng)覆蓋范圍廣，它將受到所有空間電磁干擾而在線路上感應(yīng)電壓和電路。尤其是電網(wǎng)內(nèi)部的變化，入開(kāi)關(guān)操作浪涌、大型電力設(shè)備起停、交直流傳動(dòng)裝置引起的諧波、電網(wǎng)短路暫態(tài)沖擊等，都通過(guò)輸電線路傳到電源原邊。PLC電源通常采用隔離電源，但其機(jī)構(gòu)及制造工藝因素使其隔離性并不理想。實(shí)際上，由于分布參數(shù)特別是分布電容的存在，絕對(duì)隔離是不可能的。
此干擾主要有兩種途徑：一是通過(guò)變送器供電電源或共用信號(hào)儀表的供電電源串入的電網(wǎng)干擾，這往往被忽視；二是信號(hào)線受空間電磁輻射感應(yīng)的干擾，即信號(hào)線上的外部感應(yīng)干擾，這是很嚴(yán)重的。由信號(hào)引入干擾會(huì)引起I/O信號(hào)工作異常和測(cè)量精度大大降低，嚴(yán)重時(shí)將引起元器件損傷。對(duì)于隔離性能差的系統(tǒng)，還將導(dǎo)致信號(hào)間互相干擾，引起共地系統(tǒng)總線回流，造成邏輯數(shù)據(jù)變化、誤動(dòng)和死機(jī)。PLC控制系統(tǒng)因信號(hào)引入干擾造成I/O模件損壞數(shù)相當(dāng)嚴(yán)重，由此引起系統(tǒng)故障的情況也很多。
c 來(lái)自接地系統(tǒng)混亂時(shí)的干擾
接地是提高電子設(shè)備電磁兼容性（EMC）的有效手段之一。正確的接地，既能抑制電磁干擾的影響，又能抑制設(shè)備向外發(fā)出干擾；而錯(cuò)誤的接地，反而會(huì)引入嚴(yán)重的干擾信號(hào)，使PLC系統(tǒng)將無(wú)法正常工作。
PLC控制系統(tǒng)的地線包括系統(tǒng)地、屏蔽地、交流地和保護(hù)地等。接地系統(tǒng)混亂對(duì)PLC系統(tǒng)的干擾主要是各個(gè)接地點(diǎn)電位分布不均，不同接地點(diǎn)間存在地電位差，引起地環(huán)路電流，影響系統(tǒng)正常工作。例如電纜屏蔽層必須一點(diǎn)接地，如果電纜屏蔽層兩端A、B都接地，就存在地電位差，有電流流過(guò)屏蔽層，當(dāng)發(fā)生異常狀態(tài)如雷擊時(shí)，地線電流將更大。
此外，屏蔽層、接地線和大地有可能構(gòu)成閉合環(huán)路，在變化磁場(chǎng)的作用下，屏蔽層內(nèi)有會(huì)出現(xiàn)感應(yīng)電流，通過(guò)屏蔽層與芯線之間的耦合，干擾信號(hào)回路。若系統(tǒng)地與其它接地處理混亂，所產(chǎn)生的地環(huán)流就可能在地線上產(chǎn)生不等電位分布，影響PLC內(nèi)邏輯電路和模擬電路的正常工作。PLC工作的邏輯電壓干擾容限較低，邏輯地電位的分布干擾容易影響PLC的邏輯運(yùn)算和數(shù)據(jù)存貯，造成數(shù)據(jù)混亂、程序跑飛或死機(jī)。模擬地電位的分布將導(dǎo)致測(cè)量精度下降，引起對(duì)信號(hào)測(cè)控的嚴(yán)重失真和誤動(dòng)作。
（3）來(lái)自PLC系統(tǒng)內(nèi)部的干擾
主要由系統(tǒng)內(nèi)部元器件及電路間的相互電磁輻射產(chǎn)生，如邏輯電路相互輻射及其對(duì)模擬電路的影響，模擬地與邏輯地的相互影響及元器件間的相互不匹配使用等。這都屬于PLC制造廠對(duì)系統(tǒng)內(nèi)部進(jìn)行電磁兼容設(shè)計(jì)的內(nèi)容，比較復(fù)雜，作為應(yīng)用部門(mén)是無(wú)法改變，可不必過(guò)多考慮，但要選擇具有較多應(yīng)用實(shí)績(jī)或經(jīng)過(guò)考驗(yàn)的系統(tǒng)。
| CPU | |
| 6ES72111AD300XB0 | CPU 1211C，緊湊型 CPU，DC/DC/DC，板載 I/O： 6 DI 24V DC；4 DO 24 V DC；2 AI 0 - 10V DC 或 0 - 20MA，電源： DC 20.4 - 28.8 V DC，程序/數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器： 25 KB |
| 6ES72111BD300XB0 | CPU 1211C，緊湊型 CPU，AC/DC/繼電器，板載 I/O： 6 DI 24V DC；4 DO 繼電器 0.5A；2 AI 0 - 10V DC 或 0 - 20MA，電源： AC 85 - 264 V AC @ 47 - 63 HZ，程序/數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器： 25 KB |
| 6ES72111HD300XB0 | CPU 1211C，緊湊型 CPU，DC/DC/繼電器，板載 I/O： 6 DI 24V DC；4 DO 繼電器 0.5A；2 AI 0 - 10V DC 或 0 - 20MA，電源： AC 20.4 - 28.8 V DC，程序/數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器： 25 KB |
| 6ES72121AD300XB0 | CPU 1212C，緊湊型 CPU，DC/DC/DC，板載 I/O： 8 DI 24V DC；6 DO 24 V DC；2 AI 0 - 10V DC 或 0 - 20MA，電源： DC 20.4 - 28.8 V DC，程序/數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器： 25 KB |
| 6ES72121BD300XB0 | CPU 1212C，緊湊型 CPU，AC/DC/繼電器，板載 I/O： 8 DI 24V DC；6 DO 繼電器 0.5A；2 AI 0 - 10V DC 或 0 - 20MA，電源： AC 85 - 264 V AC @ 47 - 63 HZ，程序/數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器： 25 KB |
| 6ES72121HD300XB0 | CPU 1212C，緊湊型 CPU，DC/DC/繼電器，板載 I/O： 8 DI 24V DC；6 DO 繼電器 0.5A；2 AI 0 - 10V DC 或 0 - 20MA，電源： AC 20.4 - 28.8 V DC，程序/數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器： 25 KB |
| 6ES72141AE300XB0 | CPU 1214C，緊湊型 CPU，DC/DC/DC，板載 I/O： 14 DI 24V DC；10 DO 24 V DC；2 AI 0 - 10V DC 或 0 - 20MA，電源： DC 20.4 - 28.8 V DC，程序/數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器： 50 KB |
| 6ES72141BE300XB0 | CPU 1214C，緊湊型 CPU，AC/DC/繼電器，板載 I/O： 14 DI 24V DC；10 DO 繼電器 0.5A；2 AI 0 - 10V DC 或 0 - 20MA，電源： AC 85 - 264 V AC @ 47 - 63 HZ，程序/數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器： 50 KB |
| 6ES72141HE300XB0 | CPU 1214C，緊湊型 CPU，DC/DC/繼電器，板載 I/O： 14 DI 24V DC；10 DO 繼電器 0.5A；2 AI 0 - 10V DC 或 0 - 20MA，電源： AC 20.4 - 28.8 V DC，程序/數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器： 50 KB |
| SIMATIC S7-1200, firmare V4.0,CPU 1215C AC/DC/Rly,14輸入/10輸出,集成2AI/2AO | |
| SIMATIC S7-1200, firmare V4.0,CPU 1215C DC/DC/DC,14輸入/10輸出,集成2AI/2AO | |
| SIMATIC S7-1200, firmare V4.0,CPU 1215C DC/DC/Rly,14輸入/10輸出,集成2AI/2AO | |
| SIMATIC S7-1200, firmare V4.0,CPU 1217C DC/DC/DC,14輸入/10輸出,集成2AI/2AO | |
| DI/DO | |
| 6ES72211BF300XB0 | SM 1221 數(shù)字量輸入模板，8 點(diǎn)數(shù)字量輸入，直流 24 V，漏/源輸入 |
| 6ES72211BH300XB0 | SM 1221 數(shù)字量輸入模板，16 點(diǎn)數(shù)字量輸入，直流 24 V，漏/源輸入 |
| 6ES72221BF300XB0 | SM 1222 數(shù)字量輸出模板，8 點(diǎn)數(shù)字量輸出，直流 24V，晶體管 |
| 6ES72221BH300XB0 | SM 1222 數(shù)字量輸出模板，16 點(diǎn)數(shù)字量輸出，直流 24V，晶體管 0.5A |
| 6ES72221HF300XB0 | SM 1222 數(shù)字量輸出模板，8 點(diǎn)數(shù)字量輸出，繼電器 2A |
| 6ES72221HH300XB0 | SM 1222 數(shù)字量輸出模板，16 點(diǎn)數(shù)字量輸出，繼電器 2A |
| 6ES72231BL300XB0 | SM 1223 數(shù)字量 I/O 模板，16 點(diǎn)數(shù)字量輸入/輸出，16 點(diǎn)數(shù)字量輸入 DC 24 V，漏/源，16 點(diǎn)數(shù)字量輸出，晶體管 0.5A |
| 6ES72231PH300XB0 | SM 1223 數(shù)字量 I/O 模板，8 點(diǎn)數(shù)字量輸入/輸出，8 點(diǎn)數(shù)字量輸入 DC 24 V，漏/源，8 點(diǎn)數(shù)字量輸出，繼電器 2A |
| 6ES72231PL300XB0 | SM 1223 數(shù)字量 I/O 模板，16 點(diǎn)數(shù)字量輸入/輸出，16 點(diǎn)數(shù)字量輸入 DC 24 V，漏/源，16 點(diǎn)數(shù)字量輸出，繼電器 2A |
| AI/AO | |
| 6ES72314HD300XB0 | SM 1231 模擬量輸入模板，4 點(diǎn)模擬量輸入，+/-10V、+/-5V、+/-2.5V、或 0-20 MA 12 位 + 符號(hào)位（13 位 ADC） |
| 6ES72324HB300XB0 | SM 1232 模擬量輸出模板，2 點(diǎn)模擬量輸出，+/-10V，14 位分辨率，或 0-20 MA，13 位分辨率 |
| 6ES72344HE300XB0 | SM 1234 模擬量 I/O 模板，4 點(diǎn)模擬量輸入/2 點(diǎn)模擬量輸出，+/-10V，14 位分辨率，或 0-20 MA，13 位分辨率 |
| SB | |
| 6ES72230BD300XB0 | SB 1223 數(shù)字量 I/O 模板，2 點(diǎn)數(shù)字量輸入/輸出，2 點(diǎn)數(shù)字量輸入24V DC/2 點(diǎn)數(shù)字量輸出 24V DC |
| 6ES72324HA300XB0 | SB 1232 模擬量輸出模板，1 點(diǎn)模擬量輸出，+/- 10VDC (12 位分辨率) 或 0 - 20 MA (11 位分辨率 |
| CP | |
| 6ES72411AH300XB0 | CM 1241 通訊模板，RS232，9 針 SUB D（陰），支持基于信息的自由端口 |
| 6ES72411CH300XB0 | CM 1241 通訊模板，RS485，9 針 SUB D（陽(yáng)），支持基于信息的自由端口 |
| SIM | |
| 6ES72741XF300XA0 | 仿真模塊，8 通道仿真器，直流輸入開(kāi)關(guān) |
| 6ES72741XH300XA0 | 仿真模塊，14 通道仿真器，直流輸入開(kāi)關(guān) |
| ESM | |
| 6GK72771AA000AA0 | 緊湊型交換機(jī)模塊 CSM 1277 |
