產(chǎn)品詳情
氧化(Oxidation)工藝的主要目的是在硅襯底表面形成SiO2氧化膜。SiO2在微電子和微系統(tǒng)中的主要應(yīng)用包括:哈默納科原子集成諧波 CSF-17-80-2UH-LW鈍化晶體表面,形成化學(xué)和電的穩(wěn)定表面,即器件表面保護(hù)或鈍化膜;作為后續(xù)工藝步驟(擴(kuò)散或離子注入)的掩模(摻雜掩模、刻蝕掩模);形成介質(zhì)膜用于器件間的隔離哈默納科原子集成諧波 CSF-17-80-2UH-LW或作器件結(jié)構(gòu)中的絕緣層(非導(dǎo)電膜);在襯底或其他材料間形成界面層(或犧牲層)。
化學(xué)氣相淀積是利用氣態(tài)的先驅(qū)反應(yīng)物,以某種方式激活后,通過(guò)原子或分子間化學(xué)反應(yīng)的途徑在襯底上淀積生成固態(tài)薄膜的技術(shù)。CVD膜的結(jié)構(gòu)可以是單晶、多晶或非晶態(tài)。利用CVD可獲得高純的晶態(tài)或非晶態(tài)的金屬哈默納科原子集成諧波 CSF-17-80-2UH-LW、半導(dǎo)體、化合物薄膜,能有效控制薄膜化學(xué)成分,且設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)成本低,與其他相關(guān)工藝有較好的相容性。