日本HD硅片加工諧波CSF-32-50-2A-GR

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第13年

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詳細參數(shù)
品牌HarmonicDrive型號CSF-32-50-2A-GR
類型諧波減速器載荷狀態(tài)中等沖擊載荷
傳動比級數(shù)三級軸的相對位置立式加速器
傳動布置形式擺線式加工定制是
樣品或現(xiàn)貨現(xiàn)貨齒面硬度軟齒面
布局形式三環(huán)式用途減速機
輸入轉(zhuǎn)速3000rpm額定功率111kw
輸出轉(zhuǎn)速范圍47.6rpm許用扭矩691N.m
使用范圍礦產(chǎn)減速比323
產(chǎn)地日本

產(chǎn)品詳情

凈化間是硅片制造設(shè)備與外部環(huán)境隔離，免受諸如顆粒、日本HD硅片加工諧波CSF-32-50-2A-GR金屬、有機分子和靜電釋放（ESD)的玷污。一般來講，那意味著這些玷污在最先進測試儀器的檢測水平范圍內(nèi)都檢測不到。凈化間還意味著遵循廣泛的規(guī)程和實踐，以確保用于半導(dǎo)體制造的硅片生產(chǎn)設(shè)施免受玷污。

自然氧化層:如果曝露于室溫下的空氣或含溶解氧的去離子水中，日本HD硅片加工諧波CSF-32-50-2A-GR硅片的表面將被氧化。這一薄氧化層稱為自然氧化層。硅片上最初的自然氧化層生長始于潮濕，當硅片表面暴露在空氣中時，一秒鐘內(nèi)就有幾十層水分子吸附在硅片上并滲透到硅表面，這引起硅表面甚至在室溫下就發(fā)生氧化。自然氧化層引起的問題是：①將妨礙其他工藝步驟，如硅片上單晶薄膜的生長和超薄氧化層的生長。②另一個問題在于金屬導(dǎo)體的接觸區(qū)，如果有氧化層的存在日本HD硅片加工諧波CSF-32-50-2A-GR，將增加接觸電阻，減少甚至可能阻止電流流過。


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