產(chǎn)品詳情
微影光蝕刻術(shù)起源于照相制版的技術(shù)。自1970年起,日本HD微影設(shè)備諧波CSG-50-120-2UH才大量使用于半導(dǎo)體制程之圖形轉(zhuǎn)寫復(fù)制。原理即利用對(duì)紫外線敏感之聚合物,或所謂光阻(photo-resist)之受曝照與否,來(lái)定義該光阻在顯影液(developer)中是否被蝕除,而最終留下與遮掩罩幕,即光罩(mask)相同或明暗互補(bǔ)之圖形日本HD微影設(shè)備諧波CSG-50-120-2UH;相同者稱之「正光阻」(positiveresist),明暗互補(bǔ)者稱之「負(fù)光阻」(negativeresist),。一般而言,正光阻,如AZ-1350、AZ-5214、FD-6400L等,其分辨率及邊緣垂直度均佳,但易變質(zhì),儲(chǔ)存期限也較短(約半年到一年之間),常用于學(xué)術(shù)或研發(fā)單位;日本HD微影設(shè)備諧波CSG-50-120-2UH而負(fù)光阻之邊緣垂直度較差,但可儲(chǔ)存較久,常為半導(dǎo)體業(yè)界所使用。