產(chǎn)品詳情
.光刻技術(shù)及設(shè)備的發(fā)展
從圖2.25所示的光學(xué)曝光隨集成電路最小尺寸的演變圖我們可以看出，日本HD光學(xué)設(shè)備諧波SHD-40-100-2SH從上世紀(jì)80年代到本世紀(jì)初，光學(xué)曝光是主要的光刻方法，日本HD光學(xué)設(shè)備諧波SHD-40-100-2SH光學(xué)曝光使用深紫外光。從20世紀(jì)80年代初的3mm集成電路到2004年90nm的集成電路的發(fā)展，光學(xué)曝光光源使用汞燈，波長從G線（436nm）、I線（365nm），再到使用準(zhǔn)分子激光光源，波長為248nm和193nm。過去的十年中產(chǎn)業(yè)界利用大數(shù)值孔徑和浸沒式曝光技術(shù)，以及離軸照明技術(shù)(Off Axis illumination,OAI)、空間濾波技術(shù)、日本HD光學(xué)設(shè)備諧波SHD-40-100-2SH相位移掩模（Phase Shift Mask, PSM）、光學(xué)臨近效應(yīng)校正技術(shù)等光學(xué)曝光分辨率增強(qiáng)技術(shù)，使用193nm的深紫外光將集成電路最小尺寸做到了22nm。
