哈默納科單晶硅諧波傳動CSF-11-50-2A-R

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第13年

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詳細(xì)參數(shù)
品牌HarmonicDrive型號CSF-11-50-2A-R
類型諧波減速器載荷狀態(tài)強沖擊載荷
傳動比級數(shù)雙級軸的相對位置立式加速器
傳動布置形式擺線式加工定制是
樣品或現(xiàn)貨現(xiàn)貨齒面硬度其他
布局形式三環(huán)式用途變速機
輸入轉(zhuǎn)速3000rpm額定功率360kw
輸出轉(zhuǎn)速范圍50rpm許用扭矩1782N.m
使用范圍化工減速比877
產(chǎn)地日本

產(chǎn)品詳情

摻雜是把雜質(zhì)引入半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)中，哈默納科單晶硅諧波傳動CSF-11-50-2A-R以改變半導(dǎo)體材料電學(xué)性能的一種方法。在芯片制造中常用兩種方法向硅片中引入雜質(zhì)元素，即熱擴散和離子注入。熱擴散利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)穿過硅的晶格結(jié)構(gòu)，這種方法受到時間和溫度的影響。離子注入通過高壓離子轟擊把雜質(zhì)引入硅片。哈默納科單晶硅諧波傳動CSF-11-50-2A-R雜質(zhì)通過與硅片發(fā)生原子級的高能碰撞，才能被注入。

擴散分為三種，即氣態(tài)、液態(tài)和固態(tài)。在半導(dǎo)體制造中，哈默納科單晶硅諧波傳動CSF-11-50-2A-R利用高溫擴散驅(qū)動雜質(zhì)穿過硅晶格。硅中固態(tài)雜質(zhì)的擴散需要三個步驟：預(yù)淀積、推進(jìn)和激活。

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