產(chǎn)品詳情
半導(dǎo)體生產(chǎn)中的熱處理工藝主要是退火工藝。在離子注入后,日本HD高溫硅片諧波CSF-11-50-2A-R硅片的晶格因原子撞擊而損傷。另外被注入離子不占據(jù)硅的晶格,處于晶格間隙位置。經(jīng)過退火處理后雜質(zhì)原子被激活,運(yùn)動到硅片晶格上。退火同時修復(fù)了晶格損傷。
1.熱處理工藝
晶格修復(fù)溫度大約為500℃,日本HD高溫硅片諧波CSF-11-50-2A-R激活雜質(zhì)原子溫度大約為950℃。硅片退火使用兩種方法。
(1) 高溫退火
在高溫爐中將注入雜質(zhì)的硅片加熱至800~1000℃,日本HD高溫硅片諧波CSF-11-50-2A-R保溫30分鐘。在此溫度下可修復(fù)晶格損傷,并且實現(xiàn)硅晶格上原子的替換。這種熱處理工藝會造成雜質(zhì)的擴(kuò)散。
(2) 快速熱處理
快速升溫到1000℃,并且快速對硅片進(jìn)行退火處理。通常在通入Ar或N2的快速熱處