日本HD驅(qū)動直聯(lián)諧波CSF-11-50-2XH-F

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第13年

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詳細參數(shù)
品牌HarmonicDrive型號CSF-11-50-2XH-F
類型無級減速器載荷狀態(tài)中等沖擊載荷
傳動比級數(shù)雙級軸的相對位置立式加速器
傳動布置形式擺線式加工定制是
樣品或現(xiàn)貨樣品齒面硬度軟齒面
布局形式三環(huán)式用途減速機
輸入轉(zhuǎn)速3000rpm額定功率360kw
輸出轉(zhuǎn)速范圍50rpm許用扭矩691N.m
使用范圍化工減速比463
產(chǎn)地日本

產(chǎn)品詳情

不過因為深度很淺，一般還是簡單認定大部份離子是攙雜在表面上日本HD驅(qū)動直聯(lián)諧波CSF-11-50-2XH-F，然后進一步利用驅(qū)入（drive-in）來調(diào)整濃度分布，并對離子撞擊過的區(qū)域，進行結(jié)構(gòu)之修補?；旧?，其為一低溫制程，故可直接用光阻來定義植入的區(qū)域。

(五)化學(xué)日本HD驅(qū)動直聯(lián)諧波CSF-11-50-2XH-F氣相沉積(ChemicalVaporDeb；CVD)

到目前為止，只談到以高溫爐管來進行二氧化硅層之成長。至于其它如多晶硅(poly-silicon)、氮化硅(silicon-nitride)、鎢或銅金屬等薄膜材料，要如何成長堆棧至硅晶圓上？

基本上仍是采用高溫爐管，只是因著不同的化學(xué)沉積過程日本HD驅(qū)動直聯(lián)諧波CSF-11-50-2XH-F，有著不同之工作溫度、壓力與反應(yīng)氣體，統(tǒng)稱為「化學(xué)氣相沉積」。

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