產(chǎn)品詳情
從上世紀(jì)80年代到本世紀(jì)初,光學(xué)曝光是主要的光刻方法,光學(xué)曝光使用深紫外光哈默納科EUV技術(shù)諧波SHD-14-50-2SH 。從20世紀(jì)80年代初的3mm集成電路到2004年90nm的集成電路的發(fā)展,光學(xué)曝光光源使用汞燈,波長(zhǎng)從G線(436nm)、I線(365nm),再到使用準(zhǔn)分子激光光源,波長(zhǎng)為248nm和193nm。哈默納科EUV技術(shù)諧波SHD-14-50-2SH過(guò)去的十年中產(chǎn)業(yè)界利用大數(shù)值孔徑和浸沒(méi)式曝光技術(shù),以及離軸照明技術(shù)(Off Axis illumination,OAI)、空間濾波技術(shù)、相位移掩模(Phase Shift Mask, PSM)、光學(xué)臨近效應(yīng)校正技術(shù)等光學(xué)曝光分辨率增強(qiáng)技術(shù)哈默納科EUV技術(shù)諧波SHD-14-50-2SH ,使用193nm的深紫外光將集成電路最小尺寸做到了22nm。目前利用極紫外(EUV)光刻技術(shù),