哈默納科分子束諧波FHA-40C-100-E250-BC

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第13年

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詳細(xì)參數(shù)
品牌HarmonicDrive型號(hào)FHA-40C-100-E250
類型諧波減速器載荷狀態(tài)強(qiáng)沖擊載荷
傳動(dòng)比級(jí)數(shù)雙級(jí)軸的相對(duì)位置臥式減速器
傳動(dòng)布置形式同軸式加工定制是
樣品或現(xiàn)貨現(xiàn)貨齒面硬度軟齒面
布局形式三環(huán)式用途減速機(jī)
輸入轉(zhuǎn)速3000rpm額定功率360kw
輸出轉(zhuǎn)速范圍50rpm許用扭矩691N.m
使用范圍礦產(chǎn)減速比23
產(chǎn)地日本

產(chǎn)品詳情

氣相外延工藝和CVD方法類似，通過包含反應(yīng)物的攜載氣體，哈默納科分子束諧波FHA-40C-100-E250-BC在襯底表面淀積同質(zhì)材料。外延工藝主要用于在硅襯底表面淀積多晶硅薄膜，這些多晶硅是摻雜的硅晶體且晶向隨機(jī)排列，用于在硅襯底指定區(qū)域?qū)崿F(xiàn)導(dǎo)電。外延工藝與CVD方法的工藝設(shè)備結(jié)構(gòu)基本相同。使用時(shí)用H2作為攜載氣體。為安全起見，在工藝開始之前哈默納科分子束諧波FHA-40C-100-E250-BC采用N2清除反應(yīng)爐中可能存在的O2。外延層的形成過程如圖所示，化學(xué)反應(yīng)公式見式（2-3）所示為一種氣相外延設(shè)備。

    分子束外延是一種在晶體基片上生長高質(zhì)量的哈默納科分子束諧波FHA-40C-100-E250-BC晶體薄膜的新技術(shù)。在超高真空條件下，

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